东京--(美国商业信息)--内存解决方案全球领导者今日宣布开发出全球首款[1]采用64层3D闪存的企业级SSD。两个新的产品系列PM5 12Gbit/s SAS系列和CM5 NVM Express™ (NVMe™)系列利用东芝内存公司的BiCS FLASH™ 3D闪存，允许当今严苛的储存环境利用成本最优化的3D闪存拓展闪存的应用。创新的PM5和CM5系列具有全新的进阶功能集，提高了效能功能标准并为企业创造一系列新机会来利用闪存内存的威力。

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供OEM客户进行评估的少量样品出货今日启动，自今年第四季起，东芝内存公司将逐步增加出货量。2017年8月8-10日期间，这些新产品将在于美国加州圣克拉布拉举行的2017年闪存高峰会(Flash Memory Summit 2017)上亮相（407号摊位）。

PM5系列将提供2.5英寸外形尺寸，400GB至30.72TB的储存容量[2]以及1、3、5和10DWPD（每日硬盘写入量）的耐久度选项。SAS SSD广泛的耐久度和储存容量范围将支持资料中心有效满足巨量资料需求，同时简化储存部署。PM5系列采用业界首创的[3]MultiLink SASTM结构，能够提供市场上现有以SAS为基础的SSD中的最快效能[4]，在MultiLink模式下循序读取速度最高可达3350MB/s[5]，循序写入速度最高可达2720MB/s，在窄模式或MultiLink模式下随机读取IOPS[6]达40万次。PM5系列的4埠MultiLink设计是一项附加技术，旨在实现类似于PCI EXPRESS® (PCIe®) SSD的高效能，支持旧结构无需从零开始重新进行结构设计便可提高生产力。此外，PM5 SSD支持多重串流写入技术(Multi-Stream Write Technology)，这是一项能够对资料类型进行智慧管理和分组的功能，有助于实现写入放大率最小化并尽可能减少垃圾收集，从而实现更低的延迟、更高的耐久度以及更优越的效能和QoS。

CM5系列将提供2.5英寸外形尺寸，800GB至15.36TB的储存容量，作为一种插入卡型外形，提供1、3、5DWPD（每日硬盘写入量）的耐久度选项。作为新一代NVMe SSD，双埠PCIe Gen3 x4 CM5是一款全功能企业级SSD，NVMe over Fabric，搭载有碎片收集清单(scatter-gather list，SGL)和控制器内存缓冲区(controller memory buffer，CMB)功能。此外，CM5系列将是首款支持持续内存区域(Persistent Memory Region，PMR)功能的系列，适用于期望增加系统内存的客户，客户无需在其服务器中使用昂贵的非挥发性DIMM (NV-DIMM)。PMR使同时提供高效能储存和持续内存的单一SSD解决方案成为可能，以满足系统效能要求[7]，同时显著降低成本。CM5系统具备卓越的效能，随机读取IOPS最高可达80万次，随机写入IOPS最高分别可达24万次（5DWPD型号）和22万次（3DWPD型号），最大功耗为18W。和PM5 SSD一样，该系列也支持多串流写入技术。

*NVMe和NVM Express为NVM Express, Inc.的商标
*MultiLink SAS为SCSI Trade Association的商标。
*PCI EXPRESS和PCIe为PCI-SIG的注册商标。
* 本文提及的所有其他公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。

注
[1] 截至2017年8月8日，东芝内存公司调查。
[2] 容量定义：东芝内存公司定义1 TB等于1,000,000,000,000字节。而电脑操作系统使用2的幂方来报告储存容量，其定义1TB = 240字节= 1,099,511,627,776字节，因此显示更少的储存容量。根据不同的文件大小、格式、设定、软件和操作系统，可用储存容量（包括各种媒体文件范例）将存在差异，如微软操作系统和/或预载软件应用程序或媒体内容。实际的格式化容量可能存在差异
[3] 截至2017年8月8日，东芝内存公司调查。
[4] 截至2017年8月8日，东芝内存公司调查。
[5] 根据主机设备、读取和写入条件以及文件大小情况，读写速度可能存在差异。
[6] IOPS：每秒输入输出（或每秒I/O操作的次数）
[7] 范例包括中继资料操作的移动部分，例如日志、日志记录和应用程序资料移动向NVMe SSD。

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